Persamaan MOSFET IRF820: Pinout, Spesfikasi & Datasheet

Dalam artikel kali ini, kita akan mengetahui persamaan MOSFET IRF820, Pinout, spesifikasi, dan detail lain tentang IRF820 ini.

IRF820 adalah sebuah MOSFET daya N Channel yang dirancang untuk digunakan dalam aplikasi komersial. Transistor ini memiliki banyak fitur seperti switch cepat, RDS (on) rendah, VDSS tinggi, dll.

Apa Itu MOSFET IRF820

IRF820 adalah MOSFET N Channel yang serbaguna yang dilengkapi dengan berbagai fitur yang mengesankan. Transistor ini hadir dalam paket TO-220 yang ramping, dan mampu mengendalikan beban dengan tegangan hingga 500V.

IRF820 dirancang khusus untuk aplikasi kecepatan tinggi seperti SMPS, konversi DC-to-AC, sistem UPS, rangkaian driver motor, dan driver relay, untuk beberapa contoh.

Namun, kemampuannya tidak terbatas pada aplikasi-aplikasi ini dan juga dapat dimanfaatkan dalam berbagai aplikasi lainnya.

IRF820 MOSFET adalah suatu perangkat cutting-edge yang dilengkapi dengan berbagai fitur yang impresif, sehingga sangat cocok untuk berbagai macam aplikasi.

Salah satu kekuatan utama IRF820 MOSFET adalah robustitas dan kemampuan tinggi tegangan. MOSFET dapat bertahan pada aplikasi tinggi tegangan dan mengatasi beban hingga 500V, sehingga menjadi pilihan yang dapat diandalkan bahkan untuk proyek yang paling menantang.

Fitur lain yang patut dicatat dari IRF820 MOSFET adalah kecepatan switching yang sangat cepat, diukur dalam nanodetik.

Oleh karena itu membuatnya menjadi perangkat yang sempurna untuk aplikasi yang membutuhkan switching kecepatan tinggi, seperti yang ditemukan dalam teknologi cutting-edge.

Selain kemampuan teknis yang impresif, IRF820 MOSFET juga sangat user-friendly. Memiliki kebutuhan drive yang sederhana, artinya dapat dioperasikan dari tegangan rendah dengan mudah.

Fitur lain dari IRF820 MOSFET termasuk rating avalanch ulang, rating dv/dt dinamis, dan kemudahan paralleling, di antaranya.

Akhirnya, ketika mempertimbangkan spesifikasi IRF820, perlu dicatat bahwa memiliki batas tegangan drain to source sebesar 500V, arus drain maksimum terus menerus / arus beban maksimum sebesar 2.5A, arus pulsa maksimum sebesar 10A, dan dissipasi daya maksimum sebesar 80W.

Spesifikasi ini membuat MOSFET IRF820 suatu perangkat yang sangat mampu dan serbaguna yang sangat sesuai untuk berbagai macam aplikasi.

Seperti yang sudah disebutkan sebelumnya, ini dirancang khusus untuk aplikasi kecepatan tinggi, seperti SMPS, sistem UPS, rangkaian driver motor, konversi DC-to-AC, dan driver relay. Namun, kemampuannya tidak terbatas pada aplikasi-aplikasi tersebut saja.

Bahkan, MOSFET IRF820 juga ideal untuk aplikasi yang memerlukan pemacu beban tegangan tinggi, sehingga menjadi pilihan yang handal untuk proyek-proyek yang paling menuntut.

Penting untuk dicatat bahwa MOSFET IRF820 memiliki berbagai rating dan spesifikasi yang membuatnya cocok untuk berbagai macam aplikasi. Beberapa aplikasi yang paling umum meliputi:

• Switching Mode Power Supplies (SMPS)
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Konversi DC-to-AC
• Aplikasi Driver Motor

Ini hanya beberapa contoh dari banyak penggunaan IRF820 cocok, dan penting untuk mempertimbangkan semua rating dan spesifikasinya saat memilih perangkat ini untuk proyek tertentu.

Pinout MOSFET IRF820

Pinout MOSFET IRF820 dapat ditemukan dalam spesifikasi produk. Terdiri dari tiga pin utama, yaitu Drain, Source, dan Gate. Drain berfungsi sebagai terminal utama untuk menghubungkan beban, Source sebagai terminal dari mana arus masuk ke dalam perangkat, dan Gate sebagai terminal yang mengatur aliran arus antara Drain dan Source.

Dengan memahami pinout dari IRF820, Anda dapat memastikan bahwa Anda memilih perangkat yang sesuai dengan kebutuhan dan harapan Anda. Pastikan Anda membaca dan memahami spesifikasi produk sebelum membeli, agar Anda dapat membuat keputusan yang tepat dan terinformasi.

Spesifikasi MOSFET IRF820

Untuk memahami kemampuan dan kinerja IRF820, ada beberapa fitur dan spesifikasi yang perlu diketahui. Fitur-fitur ini akan memberikan gambaran mengenai apa yang bisa dilakukan olehIRF820, serta bagaimana ia bisa memenuhi kebutuhan dan harapan Anda.

Berikut adalah beberapa spesifikasi penting yang perlu diperhatikan:

• Tipe Kemasan: TO-220AB
• Tipe Transistor: N Channel
• Tegangan Maksimal Yang Diterapkan Dari Drain ke Source: 500V
• Tegangan Maksimal Gate ke Source Harus: ±20V
• Arus Drain Maksimal Adalah: 2.5A
• Arus Drain Pulsa Maksimal Adalah: 10A
• Dissipasi Daya Maksimal Adalah: 80W
• Resistansi Maksimal Drain ke Source Dalam Kondisi ON (RDS on): 3.0Ω
• Suhu Penyimpanan dan Operasi Maksimal Harus: -55 hingga +150 Derajat Celsius

Jika Anda tertarik untuk mengumpulkan lebih banyak wawasan tentang spesifikasi dari MOSFET IRF820, kami menyediakan sebuah datasheet yang bisa Anda lihat dengan jelas.

Datasheet IRF820 akan memberikan informasi detail mengenai produk ini, mulai dari jenis paket hingga suhu operasi maksimal.

Jadilah pemilik informasi yang bijaksana dan pastikan Anda memahami seluruh spesifikasi IRF820 sebelum membuat keputusan untuk menggantikannya.

Persamaan MOSFET IRF820

Seperti halnya persamaan MOSFET IRFP240, sejumlah alternatif MOSFET yang mampu memberikan performa yang optimal dan sesuai dengan rekomendasi persamaan MOSFET IRF820 adalah IRF821, IRF822, IRF823, BUZ74, IRF420, IRF421, IRF422, IRF423, 2SK1153, 2SK1154, 2SK1862, 2SK1863, IRF820FI, IRF820S, , IRFI820G, IRFS820, IRFS821, RFP3N45, RFP3N50, BUK444-500B, BUK454-500B.

Semua pengganti MOSFET IRF820 diatas memiliki kinerja yang luar biasa dan mampu memenuhi standar kualitas yang ditentukan.

Kabarandroid.com percaya bahwa penting untuk memahami panduan penggunaan yang tepat untuk perangkat teknis untuk memastikan kinerja dan stabilitas jangka panjang.

Dalam hal ini, MOSFET tidak terkecuali. Untuk memastikan hasil optimal, disarankan untuk selalu menggunakan MOSFET 20% di bawah rating maksimum absolutnya.

Menggunakan perangkat pada rating maksimumnya dapat menyebabkan kerusakan, umur pendek, dan instabilitas dalam kinerja.

Ketika datang ke arus bocoran maksimum yang berkelanjutan, penting untuk diperhatikan bahwa itu adalah 2,5 A, dan oleh karena itu, tidak direkomendasikan untuk memacu beban melebihi 2A.

Tinggi tegangan drain-to-source maksimum adalah 500V, jadi disarankan untuk tidak memacu beban lebih dari 400V. Untuk mempertahankan stabilitas, perlu menggunakan heatsink yang cocok.

Dalam hal suhu, suhu operasi atau penyimpanan harus berada dalam rentang -55°C hingga +150°C. Dengan mengikuti panduan ini, Anda dapat memastikan bahwa MOSFET Anda akan memberikan kinerja yang baik dan stabil jangka panjang.

Datasheet MOSFET IRF820

Bagi Anda yang ingin mengetahui lebih dalam mengenai potensi dan kapabilitas dari MOSFET IRF820, kami menyediakan datasheet yang terperinci dan mudah dipahami.

Akses datasheet IRF820 ini dengan cara menyalin dan memasukkan link yang kami berikan dibawah ini ke dalam browser Anda.

Kami yakin, datasheet ini akan memberikan pemahaman yang lebih dalam mengenai MOSFET IRF820 dan memberikan informasi yang berguna bagi kebutuhan teknis Anda.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF820_InternationalRectifier.pdf

Dalam kesimpulan, MOSFET IRF820 adalah MOSFET N Channel yang memiliki fitur-fitur impresif seperti switch cepat, RDS (on) rendah, VDSS tinggi, dan dapat mengendalikan beban dengan tegangan hingga 500V.

Demikianlah sebuah analisis yang mendalam tentang pinout, fitur, spesifikasi, aplikasi, dan persamaan MOSFET IRF820, serta informasi lain yang penting yang dikumpulkan oleh tim Kabarandroid.