Persamaan MOSFET IRF5210: Pinout, Spesifikasi & Datasheet

Pelajari persamaan MOSFET IRF5210, Pinout, spesifikasi, hingga datasheet yang akan dijelaskan lengkap pada artikel kali ini.

IRF5210 adalah sebuah MOSFET daya yang tersedia dalam paket TO-220. Informasi lebih lanjutnya bisa Kamu simak disini.

Apa Itu MOSFET IRF5210

MOSFET-IRF5210-Pinout

IRF5210 adalah MOSFET daya P Channel berkualitas tinggi, tersedia dalam paket TO-220 yang mudah digunakan. Dengan desain yang serbaguna, dapat digunakan dalam berbagai aplikasi.

MOSFET ini memiliki tegangan drain-to-source maksimum sebesar -100V, sehingga mampu menggerakkan arus drain terus maksimum sebesar -40 ampere dan arus drain pulsa maksimum sebesar -140 ampere.

Nilai RDS (on) yang rendah sebesar 0,06 Ohm dan dissolusi daya maksimum yang impresif sebesar 200W membuat IRF5210 menjadi pilihan yang luar biasa untuk berbagai proyek.

Memiliki beragam fitur yang mengesankan, transistor ini menjadi pilihan ideal untuk aplikasi yang membutuhkan switching yang cepat.

Dengan desain “Fully Avalanche Rated”, transistor ini dapat beroperasi stabil bahkan saat tegangan drain-to-source melebihi batasan.

Suhu operasi maksimum yang tinggi sebesar 175°C membedakannya dari MOSFET lain yang biasanya memiliki suhu operasi maksimum sebesar 150°C.

Selain itu, resistansi RDS (on) dan drain-to-source yang rendah pada transistor membuat pemakaian daya yang efisien dan pembuatan panas yang minimal saat beroperasi.

Fitur lain yang menonjol termasuk rating dinamis dv/dt dan teknologi proses terkini. IRF5210 adalah MOSFET daya yang serbaguna dan sangat capable yang dapat digunakan dalam berbagai macam aplikasi.

Terlepas dari apakah Anda mencari perangkat untuk digunakan dalam sumber daya, sistem otomotif, pengisi baterai solar, sistem manajemen baterai, atau aplikasi lainnya, IRF5210 siap untuk menangani tugas tersebut.

MOSFET yang mengesankan ini mampu memberikan daya pada berbagai sistem, dari pengendali pengisian baterai solar dan pengisi baterai, hingga sumber daya tak terganggu, aplikasi driver motor, dan amplifier audio daya tinggi.

Dan dengan kemampuannya untuk menangani berbagai macam tegangan dan arus, Anda dapat yakin bahwa IRF5210 akan bekerja dengan handal dan efektif dalam berbagai aplikasi yang menantang.

Baca juga:   Inilah Tabel Daftar Persamaan Transistor Lengkap

Jika Anda mencari MOSFET daya yang kuat dan handal untuk proyek berikutnya, IRF5210 adalah pilihan yang sangat baik.

Dengan berbagai macam aplikasi dan kemampuan performa yang mengesankan, Anda dapat yakin bahwa perangkat ini akan memberikan hasil yang Anda butuhkan, tidak peduli apa yang Anda kerjakan.

Pinout MOSFET IRF5210

Pinout MOSFET IRF5210 dapat ditemukan dalam spesifikasi produk. Terdiri dari tiga pin utama, yaitu Drain, Source, dan Gate. Drain berfungsi sebagai terminal utama untuk menghubungkan beban, Source sebagai terminal dari mana arus masuk ke dalam perangkat, dan Gate sebagai terminal yang mengatur aliran arus antara Drain dan Source.

Dengan memahami pinout dari IRF5210, Anda dapat memastikan bahwa Anda memilih perangkat yang sesuai dengan kebutuhan dan harapan Anda. Pastikan Anda membaca dan memahami spesifikasi produk sebelum membeli, agar Anda dapat membuat keputusan yang tepat dan terinformasi.

Spesifikasi MOSFET IRF5210

Untuk memahami IRF5210 sebagai MOSFET daya yang serbaguna dan tangguh, ada beberapa faktor kunci yang perlu dicari tahu.

Ini meliputi spesifikasi dan fitur yang menentukan kemampuan IRF5210 dan bagaimana ia dapat memenuhi tuntutan aplikasi Anda.

Dengan mengetahui hal-hal ini, Anda akan memiliki gambaran yang jelas mengenai apa yang bisa dilakukan oleh IRF5210 dan bagaimana ia bisa membantu mencapai hasil yang diinginkan.

Berikut adalah beberapa spesifikasi penting yang perlu diperhatikan:

  • Tipe paket: TO-220
  • Tipe Transistor: Channel P
  • Tegangan Maksimum yang Diterapkan dari Drain ke Source: -100V
  • Tegangan Maksimum Gate ke Source Seharusnya: ±20V
  • Arus Drain Terus Maksimum adalah: -40A
  • Arus Drain Pulse Maksimum adalah: -140A
  • Dissipasi Daya Maksimum adalah: 200W
  • Resistansi Drain ke Source Maksimum dalam Keadaan ON (RDS on): 0.06Ω
  • Suhu Penyimpanan & Operasi Maksimum Seharusnya: -55 hingga +175 derajat Celsius

Jika Anda tertarik untuk mengumpulkan lebih banyak wawasan tentang spesifikasi dari MOSFET IRF5210, kami menyediakan sebuah datasheet yang bisa Anda lihat dengan jelas.

Datasheet IRF5210 akan memberikan informasi detail mengenai produk ini, mulai dari jenis paket hingga suhu operasi maksimal.

Jadilah pemilik informasi yang bijaksana dan pastikan Anda memahami seluruh spesifikasi IRF5210 sebelum membuat keputusan untuk menggantikannya.

Baca juga:   Daftar Kontak Call Center Mola TV Dan Cara Menghubunginya [LENGKAP]

Persamaan MOSFET IRF5210

Seperti halnya persamaan MOSFET IRF820, sejumlah alternatif MOSFET yang mampu memberikan performa yang optimal dan sesuai dengan rekomendasi persamaan MOSFET IRF5210 adalah IRF5210PBF.

Semua pengganti MOSFET IRF5210 diatas memiliki kinerja yang luar biasa dan mampu memenuhi standar kualitas yang ditentukan.

Untuk memastikan kinerja jangka panjang dari IRF5210 dalam aplikasi Anda, ada beberapa panduan operasi yang harus diikuti. Ini bertujuan untuk memastikan bahwa MOSFET ini berfungsi dengan optimal dan memenuhi harapan Anda.

Pertama, penting untuk tidak menggunakan IRF5210 pada rating maksimum absolutnya dan selalu menjaga jarak 20% dari rating maksimumnya. Arus drain maksimum adalah -40A, sehingga tidak disarankan untuk memikul beban lebih dari 32A. Tegangan drain ke source maksimum adalah -100V, oleh karena itu jangan memikul beban lebih dari -80V.

Kedua, pastikan untuk menggunakan heatsink yang sesuai dengan IRF5210. Ini penting untuk memastikan bahwa suhu MOSFET stabil dan tidak mencapai tingkat yang merugikan.

Terakhir, pastikan untuk menyimpan atau mengoperasikan transistor pada suhu di atas -55°C dan di bawah +150°C. Ini akan memastikan kinerja stabil dan menghindari kerusakan akibat suhu yang terlalu tinggi atau terlalu rendah.

Datasheet MOSFET IRF5210

Bagi Anda yang ingin mengetahui lebih dalam mengenai potensi dan kapabilitas dari MOSFET IRF5210, kami menyediakan datasheet yang terperinci dan mudah dipahami.

Akses datasheet IRF5210 ini dengan cara menyalin dan memasukkan link yang kami berikan dibawah ini ke dalam browser Anda.

Kami yakin, datasheet ini akan memberikan pemahaman yang lebih dalam mengenai MOSFET IRF5210 dan memberikan informasi yang berguna bagi kebutuhan teknis Anda.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF5210_InternationalRectifier.pdf

Dalam kesimpulan, IRF5210 adalah MOSFET daya P Channel yang berkualitas tinggi dan sangat capable, ideal untuk aplikasi yang membutuhkan switching yang cepat hingga mampu memberikan daya pada berbagai sistem, seperti sumber daya, sistem otomotif, pengisi baterai solar, dan lain-lain.

Demikianlah sebuah analisis yang mendalam tentang pinout, fitur, spesifikasi, aplikasi, dan persamaan MOSFET IRF5210, serta informasi lain yang penting yang dikumpulkan oleh tim Kabarandroid.